Samsung 於美國發布新一代 AI 內存產品 zHBM 及 zNAND-O 技術路線圖

近日，Samsung 參加美國加州舉辦的「未來存儲與內存會議」（FMS 2026）。在會議上，該公司發布了最新的 AI 內存產品組合及技術路線圖，包括 zHBM 與 zNAND-O 概念模型的預覽，並展出了約 30 項內存與存儲技術。

Samsung 推出新一代 AI 內存技術以滿足高性能需求

在存儲架構方面，Samsung 推出了 zHBM。該技術採用了突破性設計，將 HBM 垂直堆疊於 AI 加速器的正上方，而非傳統的並列擺放。這種設計通過最小化 AI 處理器與存儲器之間的數據傳輸距離，旨在提供更高的帶寬與更優的能效，以滿足大規模 AI 訓練與推理所需的超高速數據處理需求。

此外，基於 zHBM 新一代接口的系統性能最高可達到 HBM5 的 8 倍，能效最高提升 3 倍，熱阻降低一半以上，這些改進有助於提升高性能 AI 系統的運行穩定性。同時，新產品還支持客户定製設計，從而擴展內存容量並提升加速器性能。

在存儲方案方面，Samsung 同步推出 zNAND-O，這是一款面向端側 AI 應用的高性能 NAND 閃存解決方案。該產品憑藉 TSV 堆疊技術實現了 4 層與 8 層的堆疊，具備高空間利用率、增強的 I/O 性能與低延遲特性，能夠支持實時且數據密集型的 AI 應用。

根據瞭解，Samsung 還首次展示了 V10 BV-NAND，其採用 400 層以上的堆疊結構，存儲密度較前代 V9 提升約 58%。此外，HBM4E、HBM5 模型、LPDDR5X-PIM 及企業級 SSD PM1763、BM1773 等產品也已曝光。

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