Samsung 與海力士推進 EUV 光刻技術研發 以確保下一代 DRAM 量產

根據媒體報導，韓國兩大存儲巨頭 Samsung 與海力士正在共同推進極紫外光（EUV）光刻技術的研發，目的是確保下一代 DRAM 實現量產。據悉，近期在“下一代光刻+圖案化”會議（NGL 2026）上，SK 海力士副總裁表示，正在考慮多重曝光 EUV 或引入高數值孔徑（High-NA）單次曝光技術，旨在大規模生產極致微工藝。此外，他補充道，隨著今年全面啟動相關技術的研發，公司已開始全面引入相位移掩模（PSM）等新型材料，以期提升 EUV 光刻性能。

SK 海力士與 Samsung 在 EUV 光刻技術上持續合作

PSM 能夠同時控制光強與光相位，通過相消干涉壓制衍射偽影，從而釋放 High-NA EUV 的理論分辨率。根據相關報導，SK 海力士正與韓國本土企業東進世美肯（Dongjin Semichem）聯合開發高性能 EUV 光刻膠，重點提升光敏性以縮短曝光時間、提高晶圓吞吐量，旨在減少對日本供應商的依賴。

此前，Samsung 已在華城園區引入首台 High-NA EUV 光刻機（ASML Twinscan EXE:5000），用於技術研發。公司計劃引入更多該型設備，以在 2 納米乃至更先進的製程中提升良率與性能。Samsung 還表示正在與各合作夥伴開展聯合研發，致力於在未來的技術競賽中保持領先地位。

目前，Samsung 已完成 2 納米製程的量產，並計劃於 2029 年實現 1.4 納米製程的量產，2030 年推出 1.4 納米改進版（SF1.4+）及 1 納米製程，這些計劃與 High-NA EUV 的導入時間高度吻合，顯示出 Samsung 在半導體技術上的持續投入與戰略規劃。

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