Samsung 將於 2028 年推出搭載 2 納米工藝的 M2800 外置 5G 調制解調器

Samsung 電子系統 LSI 事業部已決定採用 2 納米工藝製造下一代外置 5G 調製解調器 M2800 系列。該產品計劃於 2027 年完成開發，並將於 2028 年推出的 Galaxy S28 系列中使用，屆時將與 Exynos 2800 以雙晶片形式搭載。

Samsung 將外置調製解調器從 4 納米轉向 2 納米後，將釋放部分 4 納米產能，相關產能將主要用於生產 HBM 底部的控制晶片。此外，Samsung 目前正調整晶圓代工業務的 4 納米產能配置，將其更多用於 HBM 基礎裸片製造。

Samsung 將於 2028 年推出新一代外置 5G 調製解調器

用於 Galaxy S27 系列的 M2700 仍採用 4 納米工藝，並將與 Exynos 2700 配套。Samsung 已停止使用 Shannon 調製解調器品牌，後續產品改用 M 系列命名。此前的 Shannon 5410 對外也曾被稱為 Exynos 調製解調器 5410。

消息指，M2700 已通過 Samsung 移動體驗事業部的內部測試，測試反饋較上一代有所改善。該晶片通過調整設計與軟件，提高了電源效率和數據傳輸速度，同時採用光學縮微技術，在工藝不變的情況下將晶片面積縮小約 4%。其支持的 3GPP 標準由第 17 版升級至第 18 版，非地面網絡衞星通信功能也得到改進。

今年 Galaxy S26 的外置調製解調器 5410 同樣採用 4 納米工藝。韓國市場的 Galaxy S26 標準版和 Plus 版搭載 Exynos 2600 與 5410 組合，而美國市場則採用第五代 Snapdragon 8 至尊版。產業鏈人士稱，5410 在待機功耗和標準功耗測試中相對競爭產品處於劣勢，而 M2700 經過電壓調整等優化後，性能已達到或超過同類產品水平。

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