業界對先進邏輯晶片和存儲晶片的需要持續火爆，ASML 繼續加大對人工智慧驅動數據中心設施的投資。公司表示，在可預見的未來，先進邏輯和存儲晶片的供應仍將受限。在 2026 年第一季度財報電話會議上，ASML 總裁兼首席執行官 Christophe Fouquet 強調，隨著 AI 工廠規模擴大到下一階段，對先進邏輯和存儲晶片的需要呈指數級增長，公司因此加大了對關鍵工廠的投資，以加速 AI 生態系統中先進邏輯和存儲晶片的生產。
客戶正積極擴大產能，其背後原因是解決包括人工智慧、移動設備和個人電腦在終端市場面臨的產能限制。
2026 年銷售預測與地區分佈
該公司公布了 2026 年第一季度按系統劃分的銷售額，其中 51% 的市場份額來自存儲器相關終端應用系統，其餘 49% 來自邏輯設計。EUV 光刻技術仍保持領先地位，收入份額達 66%，而 DUV 光刻機（ArF 浸沒式）收入份額為 23%。
| 地區 | 市場佔比 |
|---|---|
| 韓國 | 超過 45% |
| 台灣 | 23% |
| 中國大陸 | 19% |
| 美國 | 12%（2026 年第一季度） |
韓國半導體工廠是全球最繁忙的地區，佔比超過 45%，其次是台灣（23%）和中國大陸（19%）。美國位列第四，佔比 12%。ASML 的大部分 EUV/DUV 系統供應給 Samsung、台積電、中芯國際和Intel。目前 ASML 被限制向中國大陸大廠銷售高端 EUV 光刻設備，但 DUV 設備銷售不受限制。然而，由於美國立法機構正計劃禁止向中國大陸出口 DUV 技術，這種情況可能發生變化。
ASML 總裁兼首席執行官 Christophe Fouquet 表示，預期未來市場，半導體行業的增長前景持續穩定，這主要得益於人工智慧相關基礎設施的投資。這些投資正推動多個領域對先進邏輯晶片和存儲晶片的需要增長。在可預見的未來，需要將持續超過供應。這將對從人工智慧到移動設備和個人電腦等終端市場造成供應緊張，並促使客戶積極擴大產能。 隨著 DRAM 製造商向更新工藝節點轉型，存儲器領域對尖端 EUV 和 DUV 光刻機的需要也在持續增長。
ASML 的訂單量持續增加，並表示正與合作夥伴攜手滿足其需要，同時提供「生產力提升」方案，以在短期內優化生產效率。存儲晶片需要的增長主要來自 SK 海力士、Samsung 和美光等 HBM 廠商，他們依賴 EUV 光刻技術製造 HBM3E、HBM4 和 HBM4E 等新一代標準晶片。這些新標準對 NVIDIA 和 AMD 即將推出加速器至關重要，而這些加速器的需要量將極為火爆。
Fouquet 強調，除了擴大產能外，先進的 DRAM 和邏輯晶片客戶在新工藝節點上持續採用 EUV 和浸沒式深紫外光刻技術，這進一步增加了他們對光刻技術的需要。因此，ASML 的訂單量持續強勁，公司與客戶保持緊密聯繫，以滿足其需要。同時，公司還為客戶提供現有設備的產能提升方案，以滿足短期生產量需要。 展望未來，ASML 正致力於研發升級版高數值孔徑 EUV 光刻機，其每小時產量至少可達 330 片晶圓。
該系統預計將於下一個十年之初交付。ASML 還發布了全新 NXE:3800E PEP-E 光刻機，在套刻精確度相近的情況下，晶圓產量從每小時 220 片提升至每小時 230 片。
| 產品/系統 | 預計推出時間 | 每小時晶圓產量 |
|---|---|---|
| 高數值孔徑 EUV | 下一個十年之初 | 至少 330 片 |
| NXE:4200G 高數值孔徑系統 | 2029-2030 年 | 至少 300 瓦/小時 |
| 高數值孔徑 EUV 系統 EXE:5200D | 同期 | 至少 175 瓦/小時（2nm 以下） |
ASML 表示，在技術方面，公司持續取得顯著進展，並在今年二月於聖荷西舉行的 SPIE 先進光刻與圖案化會議上重點展示了多項最新成果。會上，公司發布了更新後的低數值孔徑 EUV 產品路線圖，其中體現了對這些產品短期和長期計劃的改進。這包括在下一個十年之初實現低數值孔徑 EUV 每小時至少 330 片晶圓的生產能力，這主要得益於持續改善光源功率，正如近期演示的 1000 瓦光源研究所證明。
根據 ASML 的路線圖，該公司預計將在 2029-2030 年推出先進 NXE:4200G 高數值孔徑系統，晶圓輸出能力至少為 300 瓦/小時。與此同時，高數值孔徑 EUV 系統將推出 EXE:5200D，提供 2nm 以下級晶片，每小時輸出能力至少為 175 瓦/小時。ASML 計劃在下一個十年初將晶片產量提高 50%，方法是將設備中光源的功率提高 66%。
雖然這要到 2030 年才能實現，但公司正致力於通過升級現有和即將推出的設備，提升晶圓產量，以解決供應緊張問題。
