Samsung 高端 HBM5E 內存量產延期 D1d DRAM 良率未達標

Samsung 在高階存儲領域的追趕步伐再度遭遇重大挫折。由於關鍵基礎技術 D1d DRAM 的良率未能達到預定目標，Samsung 已決定無限期推遲下一代 HBM5E 存儲的量產計劃。這次出問題的 D1d DRAM 是 Samsung 第七代 10 納米級工藝，原計劃成為未來 HBM 解決方案的核心基礎。根據規格安排，這項技術將應用於第九代 HBM 產品 HBM5E 上。

據悉該技術此前已取得試產批準，但良率持續低於目標水準，令試運行的投資回報率成為問題，更不用說大規模量產了。據熟悉 Samsung 內部情況人士透露，Samsung 計劃直至 D1d 良率達到目標水準才會重啟量產，目前恢復時間表完全未定，內部正全面重新審視工藝路線圖，試圖進一步提升良率。

HBM 產品規格一覽

值得留意的是，Samsung 現有的 1c DRAM 技術目前正穩定應用於三代 HBM 產品，包括 HBM4、HBM4E 和 HBM5。HBM4 預計今年晚些時候推出。Samsung 此前被報導正大幅縮短 HBM 開發週期，新方案準備速度前所未有。但開發速度快並不代表就能直接量產，生產週期現已成為最大瓶頸。與此同時，Samsung 亦在擴充產能，已在韓國平澤投資興建一座面積相當於四個足球場的大型晶片廠，專門用於生產包括 HBM 在內的下一代 DRAM 產品，該廠將負責封裝、測試、物流和品控等關鍵

環節。Samsung 的老對手 SK 海力士已在 D1d DRAM 技術上完成研發並確保良率。雙方目前正爭奪頂級 AI 公司的訂單，誰能在保障良率和穩定投資回報的前提下做到持續研發與生產，誰才能笑到最後。