最近有消息指，Samsung 基於 1Dnm 製程（第七代 10nm 級別工藝）的 DRAM 晶片在試產階段良品率低於預期。Samsung 已計劃暫緩大規模量產，直至良品率達到既定目標。為此，Samsung 可能全面審查工藝流程，以進一步提升良品率。
DRAM 晶片應用於多代 HBM 產品
按原計劃，Samsung 預計將 1Dnm 工藝製造的 DRAM 晶片用於 HBM5E，即第九代 HBM 解決方案。值得留意的是，除了 HBM4 外，目前採用 1Cnm 工藝的 DRAM 晶片仍將用於 HBM4E 和 HBM5，涵蓋連續三代 HBM 產品。另外有消息稱，Samsung 可能升級下一代 HBM 的基底晶片，改用更先進的 2nm 工藝。 現時，Samsung 已於 1Dnm 工藝 DRAM 晶片投入更多資源，並在韓國興建一座新廠。
據悉，該廠佔地面積約為四個標準足球場大小，除生產 DRAM 晶片外，還將承擔封裝、測試、物流及品管等環節，這些工序對維持穩定生產至關重要。 以下為相關工藝規格比較：
| 工藝名稱 | 世代 | 應用產品 |
|---|---|---|
| 1Dnm | 第七代（10nm 級） | HBM5E |
| 1Cnm | 第六代 | HBM4 / HBM4E / HBM5 |
| 2nm | 下一代 | 下一代 HBM 基底晶片 |
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