Intel 與軟銀集團子公司 SAIMEMORY 共同推進 Z-Angle Memory（ZAM）下一代存儲項目，已獲日本新能源・產業技術綜合開發機構（NEDO）官方選定與資金支持，將透過政府補助加速研發進程。ZAM 被視為高帶寬存儲（HBM）的潛在替代方案，針對 AI 與高性能計算（HPC）領域的存儲短缺，實現更高帶寬、更大量產及顯著降低功耗。
ZAM 技術規格
| 項目 | 目標規格 |
|---|---|
| 功耗降低 | 較現有方案降低約 40%–50% |
| 單顆晶片容量 | 最高達 512GB |
| 架構特色 | 多層緊密堆疊 DRAM 晶片，每層透過 Z-Angle 互聯結構相連 |
| 連接技術 | 基底晶片下透過 EMIB（嵌入式多晶片互聯橋）與主計算晶片連接，提升帶寬並壓縮功耗與封裝複雜度 |
根據 Intel 日本公司（Intel K.K.）與 SAIMEMORY 最新公布資訊，ZAM 項目已納入 NEDO 支持計劃，項目週期約 3.5 年，將圍繞面向 AI 時代的下一代堆疊式 DRAM 架構展開開發。此架構旨在應對功耗與熱設計日益嚴峻的大背景，為數據中心與 AI 應用場景提供全新存儲形態。NEDO 資金支持將協助項目在技術攻關、製程驗證及供應鏈建構等方面加速節省，邁向規模化商用。
Intel 表示，公司多年來持續驗證 ZAM 相關基礎科學與工程路徑，包括在美國能源部國家實驗室的合作實驗，以及「下一代 DRAM 關鍵計劃」中的技術探索。Intel 日本公司總經理大野誠（Makoto Ohno）指出，此次獲 NEDO 支持，有助將前期積累推向更快速的全球部署進程，同時進一步鞏固未來數年至關重要的美日技術合作關係。 在最新開發計劃下，ZAM 不僅由 Intel 與 SAIMEMORY 主導研發，還將廣泛引入日本國內及國際範圍內的技術、製程與供應鏈合作夥伴，共同支持設計、量產及
生態建構等環節推進。項目目標在解決當前 AI 與 HPC 市場中日益突出的存儲帶寬與容量瓶頸，同時為未來多代平台提供更具擴展性與能效優勢的存儲解決方案。 值得留意的是，ZAM 的推出也意味 Intel 將時隔數十年後，再次以自有產品形式正式回歸存儲器市場。公司早期發展階段曾是全球存儲器產業的重要參與者，卻最終在競爭中被日本廠商搶佔主導地位；如今，正透過日本企業與機構的參與與支持，助力 Intel 推動這一代新存儲技術走向現實，頗具歷史意義。
