長江存儲近日公布 2026 年重大項目規劃，總投資 380 億美元（約 HK$2964 億）半導體擴產計劃正式落地。以長江存儲及武漢新芯為雙核心，重點攻克 3D NAND 及 DRAM 兩大領域。
長江存儲三期廠房加速投產
長江存儲三期廠房已進入設備調試階段，預計 2026 年底投入量產，2027 年達成交月產能 5 萬片目標。三座新廠全面達產後，總產能較現有水準提升逾 100%，出貨量有望超越 SK 海力士及美光，劍指全球 NAND 顆粒市佔第三，仅次於 Samsung 及金士頓。武漢新芯同步推進三期擴產，總投資 280 億元。武漢新芯深耕 NOR Flash 特色工藝，是國內規模最大的 NOR Flash 晶片代工廠，目前擁有兩座 12 英寸晶圓廠，每座月產能逾 3 萬片。
產能翻番背後，是 AI 算力對存儲晶片需求爆發。TrendForce 最新數據顯示，單台 AI 伺服器對 DRAM 需求為傳統伺服器的 8 倍，對 NAND Flash 需求為 3 倍。高景氣預測 2026 年全球 DRAM 供需缺口將達 4.9%，為 15 年來最嚴重。新廠產能爬坡需 12 至 18 個月，供需缺口短期難以彌平。存儲晶片價格在 AI 需求持續拉動下大幅上漲，產業鏈企業業績同步亮眼。
其中長江存儲 2026 年 Q1 實現營業收入 681.4 億元人民幣（約 HK$741.73 億），同比增長 341.53%；歸母淨利潤 289.9 億元人民幣（約 HK$315.56 億），相當於 2025 年全年淨利潤的 3.3 倍。 以下為長江存儲及武漢新芯關鍵產能規格：
| 項目 | 現況產能 | 擴產目標（2027） | 投資規模 |
|---|---|---|---|
| 長江存儲 3D NAND | 現有水準 | 月產 5 萬片（三廠） | 380 億美元（約 HK$2964 億） |
| 武漢新芯 NOR Flash | 每廠月產逾 3 萬片（兩廠） | 三期擴產後提升 | 280 億元人民幣（約 HK$304.2 億） |
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