Samsung 於近日宣佈成功實現全球首個 900 層 V-NAND 閃存原型技術，這一進展使得通往 1000 層 NAND 時代的目標更進一步。根據半導體行業的消息，Samsung 利用兩塊 450 層的晶圓進行粘合，實現了 Cell Multi Bonding 技術，進而構建 900 層 V-NAND 集成系統。Samsung 的 V9 閃存 NAND 閃存作為人工智能伺服器、智能手機及數據中心 SSD 的核心元件，層數的增加能夠在相同芯片尺寸內容納更多數據，同時提升能效。
目前在量產市場中，SK 海力士的 321 層 4D NAND 技術處於領先地位，但 Samsung 計劃今年開始量產 400 層以上的第十代 V-NAND，並在研究階段已直接達到 900 層，意在在下一代 NAND 市場中佔據有利位置。Samsung 強調，已成功驗證正常單元的動作特性，並指出該技術並非僅限於理論層面，而是實際可驅動的水平。
為了克服層數增加所帶來的晶圓翹曲及錯位問題，Samsung 採用了先進的上卡盤設計來減少翹曲現象，並運用獨特的覆蓋層校正技術來解決粘合錯位的挑戰。此外，Samsung 還引入了新的位線和字線結構，這些改進有助於降低功耗及芯片尺寸。
韓國與中國主要企業 NAND 堆疊技術比較
自 2013 年全球首次商用 3D V-NAND 以來，Samsung 持續改進其工藝。中國方面，長江存儲正在以 300 層量產為目標追趕韓國企業，若能於年內實現量產，將可能加劇市場的價格競爭。行業分析認為，Samsung 的 900 層技術不僅是層數的三倍提升，更改變了堆疊工藝的範式，能夠向客户展現其技術領導地位。
項目 上代/對比 本代/規格 層數 321 層 4D NAND 900 層 V-NAND 技術 傳統堆疊技術 Cell Multi Bonding 技術 功耗 較高 降低
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