Samsung 電子於 5 月 29 日宣佈，已向全球客户供應全球首款 HBM4E 12 層樣品，進一步推進下一代高帶寬存儲器產品佈局。此前，Samsung 已於今年 2 月啟動 HBM4 量產出貨，此次在數月後提供 HBM4E 樣品，意味著其正加快面向人工智能基礎設施市場的產品推進步伐。
Samsung HBM4E 12 層樣品推進人工智能基礎設施市場
據瞭解，這款 HBM4E 12 層產品在設計和工藝優化後，單引腳傳輸速率可從 14Gbps 提升至最高 16Gbps，較上一代 HBM4 提升超過 20%。在帶寬方面，單堆疊可提供每秒 3.6TB 的數據吞吐能力，可用於大型語言模型及下一代人工智能系統的高強度計算需求。
容量方面，HBM4E 12 層產品實現 48GB 容量，較前代提升超過 30%。按照規劃，Samsung 後續還將擴展 32GB 的 8 層版本和 64GB 的 16 層版本，以適配不同客户的應用場景。
Samsung 表示，HBM4E 採用已在 HBM4 上驗證的工藝，即 10 納米級第六代 DRAM，並結合自有 4 納米邏輯晶片。公司稱，這一組合有助於提升先進工藝的穩定性，並兼顧良率與量產能力。同時，產品還通過低功耗設計和封裝結構優化，使能效較前代提升 16%，熱阻特性改善超過 14%。
按照計劃，Samsung 將在此次樣品供應基礎上，依據客户時間表推進量產供貨。作為背景，Samsung 今年 2 月已實現 HBM4 量產出貨。公司稱，客户對 HBM4 在速度和功耗表現上的反饋較為積極。去年 12 月，HBM4 在 SiP 測試中達到 11.7Gbps，並獲得較高評價。由於 HBM4 與 HBM4E 採用相同的 1c DRAM 和 4 納米基礎晶片組合，業內亦關注 HBM4E 後續轉入量產的進展。
項目 規格 容量 48GB 傳輸速率 最高 16Gbps 帶寬 每秒 3.6TB
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