Samsung 電子宣佈，已向全球主要客户供應新一代高帶寬存儲器 HBM4E 12 層樣品。該產品是 HBM4 的升級版本，專為大型語言模型和人工智能數據中心等高計算力場景而設計。據瞭解，Samsung HBM4E 12 層樣品在性能上實現了明顯的提升。單個引腳工作速度從 HBM4 的 14Gbps 提高至最高 16Gbps，提升幅度超過 20%。單堆疊帶寬達到每秒 3.6TB，滿足下一代人工智能加速器對數據吞吐量的需求。
Samsung HBM4E 12 層樣品在性能上有顯著提升
在容量方面，該產品實現了 48GB，Samsung 計劃根據客户需求推出 32GB 8 層和 64GB 16 層版本，以覆蓋不同的人工智能伺服器和數據中心場景。技術層面上，HBM4E 採用 Samsung 1c（第六代 10 奈米級）DRAM 和自研 4 奈米工藝的邏輯晶片，沿用在 HBM4 中已驗證的製程組合。此外，Samsung 還優化了低功耗設計和封裝結構，使能效較前代提升 16%，熱阻特性改善超過 14%。
這些改進有助於降低高負載人工智能運算下的發熱和功耗，提高數據中心的運行效率。
Samsung 於今年 2 月開始量產 HBM4，目前仍在擴大供應。此次 HBM4E 樣品出貨後，Samsung 將根據客户的時間表推進量產。Samsung 電子存儲器事業部開發副總裁黃相俊表示，HBM4 的量產成功為後續產品打下了基礎，公司計劃基於領先的生產投資和技術競爭力，推動全球人工智能存儲器市場的增長。此前，HBM4 在去年 12 月的系統級封裝測試中以 11.7Gbps 速度獲得行業最高評分。
項目 規格 容量 48GB 單堆疊帶寬 每秒 3.6TB 引腳工作速度 最高 16Gbps
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