Samsung 在未能大規模供應第五代高帶寬內存（HBM3E）晶片給 Nvidia 後，正積極確保不會重蹈覆轍，針對第六代高帶寬內存（HBM4）晶片的發展。據報導，Samsung 將於 2026 年 2 月開始大規模生產 HBM4 晶片。
最近有消息指出，Samsung 的 HBM4 晶片在 Nvidia 的質量測試中表現出色。根據 SEDaily 的最新報導，Samsung 計劃在其平澤工廠於 2026 年 2 月啟動 HBM4 晶片的大規模生產。其主要競爭對手 SK Hynix 也計劃在同一時期開始生產自己的 HBM4 晶片。
大部分 Samsung 的 HBM4 晶片將用於 Nvidia 的下一代 AI 加速系統 Vera Rubin，該系統預計將於 2026 年下半年推出。此外，部分 HBM4 晶片也將供應給 Google，用於其第七代 Tensor Processing Units（TPUs）。
SK Hynix 決定在其 HBM4 晶片的基本晶片上採用 12nm 製程，而 Samsung 則選擇了 10nm 級的製程。因此，有報導指出，Samsung 的 HBM4 晶片在性能上表現更佳。在公司內部測試中，Samsung 已經達到了最高 11.7Gbps 的速度。
由於 Samsung 和 SK Hynix 的 HBM 生產能力據說已經在明年售罄，AI 企業正急於採購儘可能多的內存晶片，因為持續的晶片短缺可能會導致 Amazon、Google、Microsoft 和 OpenAI 等公司的生產瓶頸。Samsung 透過銷售 HBM 晶片將實現數十億美元的收益。
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