Samsung HBM3E 和 DRAM 記憶體價格上漲 50%，供應不足推高需求

近日，有報導指出，Samsung 將 HBM3E RAM 晶片的價格上調 20%，原因是需求激增，而供應未能跟上。不過，這家科技巨頭似乎還在進一步利用這一記憶體短缺的情況。最新消息顯示，Samsung 不僅將 HBM3E RAM 的價格提高了 50%，其 DRAM 晶片的價格也上漲了 50%。

根據 X 平台用戶 @jukan05 引用的韓國媒體報導，Samsung（及 SK Hynix）在與現有客戶重新簽訂供應合約時，對 12 高（12H）HBM3E RAM 晶片的價格要求上漲 50%，因為市場上這些晶片的短缺情況相當嚴重。此外，報導指出，Samsung 的 DRAM 晶片在今年第四季度的價格也上漲了約 50%。

隨著對生成式人工智能（GenAI）的需求上升，對 AI 加速器和 HBM 的需求也顯著增加。通常，HBM 的利潤率高於 DRAM。因此，全球三大記憶體製造商中的兩家，Micron 和 SK Hynix，已經全力投入 HBM 的生產，並減少了 DRAM 的產量，導致市場上 DRAM 晶片出現短缺。

相較之下，Samsung 似乎並未顯著降低 DRAM 的生產，據報導其生產的 DRAM 晶片數量仍高於 SK Hynix。這使得 Samsung 能夠在 DRAM 晶片的銷售上獲利，除了 HBM 晶片外，該公司在 2025 年第四季度的利潤創下新高，未來在記憶體部門的獲利可能會進一步增加。