Samsung 的 HBM3 和 HBM3E 晶片在人工智能加速器中出現了性能問題。該公司去年不得不重新設計 HBM3E 晶片，以獲得 Nvidia 的批准。即使如此，這些 HBM3E 晶片僅在中國的部分 Nvidia 人工智能加速器中使用。隨著 HBM4 晶片的發展，Samsung 現在的情況有所改善，據報導這些晶片正接近獲得 Nvidia 的批准。
根據 Bloomberg 的報導，Samsung 的 HBM4 晶片正在接近獲得 Nvidia 的批准。其量產預計將於 2026 年 2 月開始。這些晶片已於 2025 年 9 月送交 Nvidia，目前已進入資格認證的最後階段。一旦開始量產，Samsung 將能夠供應 HBM4 晶片給 Nvidia 以及其他人工智能加速器公司，如 AMD 和 Google。
HBM 代表高帶寬記憶體。這種高性能記憶體技術利用多個垂直堆疊的 DRAM 晶片，提供比傳統的 DDR 或 LPDDR 記憶體顯著更高的帶寬和速度，後者通常用於手機、電腦、伺服器和其他電子設備。HBM 晶片的製造極為複雜且成本高昂。
儘管數十年來是全球最大的記憶體晶片製造商，Samsung 在 HBM 的早期並未給予足夠的關注，這使得競爭對手如 SK Hynix 和 Micron 在 HBM 市場上取得了優勢。當 Samsung 在第四代 HBM（HBM3）和第五代 HBM（HBM3E）時期加強專注時，已經落後於競爭對手。
隨著第六代 HBM（HBM4）晶片的開發，Samsung 加大了努力。有報導指出，該公司的 HBM4 晶片在性能上超過了 SK Hynix 和 Micron 的競爭產品。這些 HBM4 晶片預計將用於 Nvidia 今年即將推出的下一代旗艦人工智能處理器 Rubin。
