在 AI 計算需求持續爆發的背景下，Samsung 正憑藉其在 DRAM 和 NAND 快閃記憶體領域的全球最大產能與先進技術，加速向「全球 AI 基礎設施關鍵供應商」轉型。最新行業動態顯示，NVIDIA、Google 等全球科技巨頭正爭相與 Samsung 簽訂 3 至 5 年的長期記憶體供應協議（LTA），以鎖定未來 AI 基礎設施所需的关键半導體資源。
Samsung 電子設備解決方案部門負責人全永鉉副董事長在上月公司年度股東大會上明確表示：「我們正在推進 3 至 5 年的多年供應合同，這將為雙方提供可預測的業務穩定性和可見性，並使我們能夠靈活調整投資規模。」這一策略標誌著 Samsung 在記憶體供應模式上的重大轉變，旨在主動應對 AI 時代的市場波動。
HBM 與下一代記憶體技術進展
Samsung 在備受關注的高帶寬記憶體（HBM）領域取得關鍵進展。儘管在第五代產品 HBM3E 上遭遇交付延遲，但在第六代 HBM4 上，Samsung 從開發初期便率先引入 10 納米級第六代（1c）DRAM 工藝，並通過擴大晶片尺寸重新設計，成功通過 NVIDIA 的早期品質驗證，成為首家實現 HBM4 量產出貨的供應商。市場研究機構 Counterpoint Research 預測，Samsung 今年有望在 HBM 市場恢復近 30% 的份額。
在下一代低功耗記憶體技術上，Samsung 首款基於 LPDDR5X 的 SOCAMM 2 模組已通過 NVIDIA 驗證並投入量產，搭載於 NVIDIA Vera CPU 中。該模組規格如下：
| 規格項目 | 細節 |
|---|---|
| 模組容量 | 192 GB |
| 每顆 CPU 配置 | 8 個模組 |
| 總容量 | 1.5 TB |
| 最高速度 | 9.6 Gbps |
同時，Samsung 正在積極推動 LPDDR6 標準化進程，JEDEC 已確認其在 LPDDR6 標準制定中扮演核心角色。在儲存技術方面，Samsung 憑藉 176 層 QLC NAND 等領先工藝，維持全球 NAND 市場約 28% 的份額。公司正加速量產 280 層第 9 代 V-NAND，並積極布局被稱為「NAND 領域 HBM」的高帶寬快閃記憶體（HBF），目標在 2028 年實現商用化，以應對 AI 基礎設施對儲存帶寬的長期需求。
