韓國法院判前 Samsung 研究員向中國企業洩密七年監禁

首爾中央地方法院表示，一名前Samsung電子研究員因向中國企業洩露半導體技術，被判處七年監禁。法院認定，這名僅以姓氏公布的被告違反《產業技術保護法》，洩露的數據被界定為「國家核心技術」，並與他人共謀實施洩密行為。 這名56歲的前研究員是韓國檢方案去年起訴的10名嫌疑人之一，他們被指涉嫌向中國長鑫儲存技術有限公司（CXMT）洩露儲存芯片製造工藝。韓方有关部门當時稱，此案有助中國在開發高帶寬儲存器（HBM）方面「鋪平道路」，而HBM 是人工智慧運算的重要關鍵部件之一。

Samsung電子拒絕評論此事，長鑫儲存則未回應置評要求。

涉案細節與報酬

韓國聯合通訊社報道，這名研究員離開Samsung電子後，與一名前Samsung高管一同加入長鑫儲存，並在此過程中提供Samsung的DRAM工藝技術。據該社引述檢方消息人士，這名被告在六年間從長鑫儲存收取約29億韓元（約合196萬美元，約 HK$1,528萬）報酬。首爾中央地方檢察廳未即時回應路透社查詢。 長鑫儲存去年宣布，計劃在上海發行106億股股份進行首次公開募股，籌資295億元人民幣，約 HK$321億元。

该公司表示，募資將用於升級生產線及相關技術，擴大DRAM產能並提升工藝水平。