HB Solution 宣布成功取得用於半導體檢測的微米級發熱分析技術。公司近期從韓國基礎科學支援研究院（KBSI）受讓「高解析度熱成像顯微鏡」技術。HB Solution 計劃在未來一年內，基於客戶樣品完成半導體缺陷檢測及失效分析設備的概念驗證，並製作原型機。公司還計劃在兩年內向客戶量產線出貨首台商用設備。 ### 技術規格與優勢
技術規格與優勢
該技術透過感應通電產生的熱量所引發的反射率變化實現檢測，屬於基於光學原理的非接觸式方法，能對電子元件的微米級發熱進行成像。以下為關鍵規格比較：
| 技術類型 | 空間解析度極限 | 應用範圍 |
|---|---|---|
| 傳統紅外顯微鏡 | 10 微米 | 一般熱成像 |
| 高解析度熱成像顯微鏡 | 超越 3 微米，達 300 納米 | 微細工藝半導體內部高發熱點、2.5D 或 3D 先進封裝內層檢測（如高頻寬 RAM） |
HB Solution 此前主要製造顯示器檢測設備，擁有白光干涉測量、光譜椭偏儀及光譜反射儀等技術。白光干涉測量將白光分成兩束分別射向晶圓及反射鏡，利用反射光合併後的干涉條紋生成 3D 形貌；光譜椭偏儀使用特定波段的偏振光源，光譜反射儀則採用多波長複合光源測量物體厚度。這些原有技術雖能進行熱檢測，但高解析度熱成像顯微鏡可實現更精細、更詳盡的熱感測。 HB Solution 計劃將原有技術與新技術結合，開發檢測設備，並將市場拓展至氮化鎵或碳化矽功率半導體、電池及顯示器等领域。
公司旨在向高附加值產業全領域供應設備，中長期目標實現每年 3000 億韓元以上的新增銷售額。 HB Solution 代表李在元表示：「引進高解析度熱成像顯微鏡技術，將成為 HB Solution 搶佔半導體微發熱分析領域、躍升為全球測量平台企業的契機。我們將推動該技術早日商用化，降低對國外設備的依賴，並為主要客戶最大化工藝良率做出貢獻。」
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