10 月 13 日，Samsung 電子宣佈，公司於當地時間 12 日參加了在美國加州聖荷西舉行的“OCP 全球峯會 2026”，公開了涵蓋下一代高帶寬存儲器（HBM）、內存擴展技術和存儲解決方案的人工智能（AI）基礎設施創新戰略。Samsung 還與美國超威半導體公司（AMD）共同演示了下一代內存擴展技術，並展示了與英偉達等全球 AI 企業的合作成果，表明其正將技術合作範圍從單純的內存供應擴展至 AI 系統整體。
Samsung 電子在 OCP 全球峯會上展示多項技術創新
在此次 OCP 全球峯會上，Samsung 電子公開了三個技術方向：一是包括 HBM5、定製 HBM 在內的高性能內存；二是基於計算快速鏈接（CXL）的內存擴展技術；三是利用下一代固態硬盤（SSD）的數據存儲與管理技術。同時，Samsung 與 AMD 共同演示了基於 CXL 的內存擴展解決方案，並展出了 Groq LPU 晶圓和英偉達 Groq 3 LPX 系統等，介紹了與全球 AI 企業的合作成果。
Samsung 電子半導體（DS）部門內存業務部 AE 團隊常務沈浩俊在當天發表演講時強調：“隨著 AI 模型大型化，推理過程中需要處理的數據和 KV 緩存容量不斷增加，要提高 AI 系統性能，不僅內存帶寬，容量擴展和數據存儲管理技術也變得至關重要。”為此，他提出了速度、內存擴展性、數據持久性三大方向的技術戰略。
Samsung 電子還表示，公司正超越個別內存產品的性能改善，為優化中央處理器（CPU）、圖形處理器（GPU）、內存、存儲等 AI 系統整體，從開發初期就與全球客戶及合作夥伴擴大共同設計和技術驗證合作。在本次 OCP 活動上，Samsung 與 AMD 共同演示了基於 CXL 的內存擴展解決方案，公開了為靈活擴展 AI 系統內存容量的技術合作成果。
Samsung 電子致力於提升 AI 基礎設施性能
其目標是在 AI 智能體擴散導致推理過程數據處理量和內存需求增加的背景下，利用 CXL 技術彌補現有系統的內存容量限制。尤其是，Samsung 展示了基於 CXL 內存模塊 DRAM（CMM-D）的內存池化技術，可高效利用多個系統的內存資源，靈活確保 AI 環境所需的內存容量。
Samsung 電子表示：“此次共同演示在真實系統環境中與全球計算平台企業驗證技術，並擴大合作以改善 AI 基礎設施性能，具有重要意義。”此外，Samsung 在本次活動中運營兩個展區。在介紹高性能 AI 內存技術的“Token 化解決方案”展區，展示了 HBM4E、HBM5、定製 HBM、LPDDR5X-PIM 等，以及 2 納米環繞柵極（GAA）工藝晶圓、Groq LPU 晶圓和英偉達 Groq 3 LPX 系統。
在“KV 緩存解決方案”展區，則介紹了通過 CXL 內存、企業級 SSD 和 KV 緩存優化技術，高效存儲和管理 AI 推理過程中產生的大規模數據的方案。
Samsung 電子還加強與全球客戶的共同設計和技術驗證合作。公司通過“Samsung MAX Lab”在真實 AI 環境中驗證下一代內存和存儲技術，並從產品開發初期就反映客戶需求。同時，以全球開放生態專責組織 GOST 為中心，參與開源軟件開發和標準化活動，將合作範圍從硬件擴展至軟件優化。
Samsung 電子今年在英偉達 GTC、Computex、FMS 等主要全球活動中接連公開了 HBM5 和 zHBM 等下一代內存技術，致力於強化 AI 半導體競爭力。據市場調查機構 Counterpoint Research 數據，Samsung 電子今年第二和第四季度全球 DRAM 市場以營收為準佔據 39%份額，排名第一；同期 NAND 閃存市場也以 29.3%份額保持第一。Samsung 電子表示：“將基於技術力和生產基礎，加強 HBM、伺服器用 DDR5、企業級 SSD 等高附加值 AI 內存市場攻略。
”
項目 規格 內存類型 HBM5、定製 HBM、LPDDR5X-PIM 存儲技術 基於 CXL 的內存擴展技術 固態硬盤技術 下一代 SSD
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