SK 海力士正在加速擴展其存儲芯片產能，以應對日益增長的行業需求。近期，該公司正積極開發一項全新技術，旨在提升移動及邊緣設備上的 AI 工作負載處理能力。
新技術介紹
據多家韓國媒體報導，SK 海力士正研發一種新型計算機內存，以加速本地 AI 運算。這項名為高帶寬存儲（HBS）的新技術，是此前高帶寬閃存（HBF）方案的延伸，將移動 DRAM 和 NAND 閃存組件合併於同一設備，專為智能手機、平板等移動設備的 AI 負載提速而設計。該芯片最多可垂直堆疊 16 層 DRAM 與 NAND，通過獨特的垂直導線扇出結構（VFO）實現層間互連。
SK 海力士早前已在 Apple Vision Pro 產品中採用了 VFO DRAM，但 HBS 技術則進一步整合了 NAND 閃存。公司在 2023 年發佈時強調，VFO 不僅提高封裝效率，還改善散熱與芯片體積縮減。與傳統彎導線連接方式相比，VFO 可將層間電子傳輸空間需求減少 4.6 倍，整體能效提升 4.9%，散熱性能提升 1.4%，芯片厚度減至傳統方案的 73%。
與 SanDisk 合作開發的 HBF 技術不同，HBS 無需穿硅通孔（TSV），使得製造流程更為簡化，良品率更高，並降低生產成本，這將有助於其在半導體行業的廣泛推廣。
新的 DRAM + NAND 堆疊模組將直接與應用處理器（AP）共封裝，顯著提升智能手機及 SoC 終端的數據處理速度。SK 海力士此次的創新，目標在於進一步推動移動端 AI 性能的提升。雖然具體表現尚待實際檢驗，公司計劃於 2029 年至 2031 年正式發佈該項技術。目前，由於 2026 年新一代芯片的銷售火爆，SK 海力士的產能已出現緊張。
