Samsung Electronics 是全球內存芯片市場的主要參與者之一。該公司在技術進步方面投入了大量資源，以保持其主導地位。
最近，Samsung Electronics 的研究人員揭示了一項重大技術突破，這項技術能顯著降低功耗並提升內存芯片的容量。
這項新技術的發佈可能為 Samsung 在內存市場帶來更多增長機會。他們宣佈了一種基於鐵電晶體（FeFET）的超低功耗內存技術，這種技術在不增加功耗的情況下提升了容量。
使用鐵電材料開發的 FeFET 基內存，在串結構中相比於傳統 NAND 內存，功耗降低了高達 96%。
這意味著內存芯片可以在不增加功耗的情況下存儲顯著更多的數據。這對於對能效要求極高的設備來說，尤其重要，例如移動設備、邊緣計算和人工智能等領域。
此技術在一定程度上解決了 NAND 快閃內存的根本限制：當功耗降低時，容量也會隨之減少，反之亦然。然而，目前這項技術仍處於研究階段，但 Samsung 的公佈表明，未來有可能在其內存產品中應用這項技術。
隨著對內存產品的需求不斷增長，特別是來自人工智能芯片製造商的需求，市場正邁向超週期，對於更高效能和更高密度的內存產品，迫切期待其推出。
