Samsung推出 40 Gbps 速率、3 GB 容量 GDDR7 顯存芯片 獲韓國總統表彰

Samsung電子在首爾舉行的「2025 韓國科技節」上發佈了新一代 GDDR7 顯存芯片。這款芯片單顆容量為 24 Gb(3 GB),數據速率高達 40 Gbps,並憑藉該產品獲得韓國總統表彰勳章,進一步鞏固其在高性能圖形與 AI 存儲領域的領先地位。

這款芯片基於約 12 nm 級 DRAM 製程,兼顧高帶寬與高密度設計,被視為面向實時 AI 推理、高分辨率遊戲以及邊緣計算等應用的關鍵組件。據介紹,這款 40 Gbps GDDR7 在同代產品中具備行業領先的速度水平,利用三電平 PAM3 信號編碼和優化的電源管理方案,在提升傳輸速率的同時,功耗效率較上一代提升逾三成。

24 Gb 單顆容量使 GPU 廠商能夠在不增加封裝面積的前提下,顯著提升顯存總量,為日益龐大的 AI 模型和複雜圖形渲染任務提供更寬裕的顯存空間和帶寬冗餘。

業內分析指出,隨著 AI 推理、生成式模型以及高刷新率高分辨率遊戲等場景對顯存帶寬和容量的需求迅速增長,40 Gbps 級別、3 GB 容量單顆的 GDDR7 芯片將成為下一階段高性能顯卡和 AI 加速卡的重要基礎部件。Samsung在 GDDR7 領域率先推進 24 Gb 高密度、40 Gbps 高速規格,有望在即將到來的新一輪 GPU 與 AI 硬件升級周期中搶佔優勢話語權,並推動圖形顯存技術整體向更高帶寬、更高能效演進。


Henderson
Henderson 主要擔任「炒稿記者」的職責,以翻譯最新科技,手機 電動車等消息為每天的工作。