經過五年的研究和投資 1.6 兆韓元，Samsung 於 2016 年 2 月開始量產 10 奈米級 DRAM，成為全球首家達成此里程碑的公司。不幸的是，該品牌的 DRAM 芯片製造技術被竊取，該技術被列為國家核心技術和商業機密。
這一事件使得中國企業長鑫記憶科技（ChangXin Memory Technologies，簡稱 CXMT）自 2023 年起能夠生產 10 奈米級的 DRAM 芯片，這使得韓國科技巨頭損失約 5 兆韓元，並使韓國國家損失數十兆韓元。2024 年，韓國法律機構開始調查此事件，目前已抓捕相關涉案人員並對其提出指控。
根據《韓國中央日報》的報導，首爾中央地方檢察廳於周二表示，已對十名違反《不正當競爭防止法》和《工業技術保護法》的個人提起公訴。包括前 Samsung 員工在內的五人被拘留起訴，另外五人則是 CXMT 的開發團隊成員，以不拘留方式起訴。
事件的起因可以追溯到 2016 年，當時 CXMT 在地方政府和半導體設計公司的投資下成立。成立不久後，這家中國公司招聘了一名前 Samsung 電子部門負責人來領導其開發工作。該負責人在 9 月與包括一位前 Samsung 研究員在內的幾位其他人，通過另一名在 CXMT 的前 Samsung 員工獲得了 Samsung 的 18 奈米 DRAM 製程技術，並在 CXMT 的 DRAM 開發中非法使用。
這名前 Samsung 員工手動複製了 10 奈米級 DRAM 技術的數百個步驟，然後轉移給 CXMT。為了獲得這項技術，前 Samsung 部門負責人及其他人設立了一家空殼公司，經常更換辦公室，甚至創造了自己的語言作為代碼，以防潛在的旅行禁令或逮捕。
隨後，這名前 Samsung 員工將技術轉移給前 Samsung 部門負責人及其成員。前 Samsung 部門負責人和其他成員將技術轉移到 CXMT 的另一個開發團隊，該團隊在 2018 年至 2023 年之間修改技術，以適應中國的製造設備，並進行 DRAM 芯片的開發。
韓國將對竊取其技術的人採取嚴厲行動。檢察官針對此事件表示：「考慮到國內半導體產業的規模——佔總出口的 20.8％，對國家經濟的損害預計將達到至少數十兆韓元。通過直接調查，我們不僅查明並懲罰了國內的技術泄露，還揭露了在中國進行的開發相關罪行。我們將繼續嚴厲應對威脅國家經濟和技術安全的海外非法技術泄露行為。」
