存儲三巨頭 SK 海力士、Samsung 和美光，正加速開發 16-Hi HBM RAM 內存芯片，目標是在 2026 年第四季度向 NVIDIA 供貨。據悉，NVIDIA 已向供應商提出需求，希望在 2026 年第四季度正式交付 16-Hi HBM 芯片，用於其頂級 AI 加速器。
一位行業人士表示：“繼 12-Hi HBM4 之後，英偉達又提出了 16-Hi 的供貨需求，因此我們正在制定非常快速的開發時間表。性能評估最早可能在明年第三季度之前開始。”
16-Hi HBM 技術尚未實現商業化，其開發面臨諸多技術難題，尤其是隨著堆疊層數的增加，DRAM 堆疊的複雜性呈指數級上升。
根據 JEDEC 標準，HBM4 的總厚度限制在 775µm，要在這一有限空間內塞進 16 層 DRAM 芯片，意味著晶圓厚度必須從目前的 50µm 壓縮至 30µm 左右，而如此薄的晶圓在加工中極易損壞。
此外，粘合工藝也是競爭焦點，目前 Samsung 與美光主要採用 TC-NCF 技術，而 SK 海力士則堅持 MR-MUF 工藝。為了增加堆疊層數，粘合材料的厚度必須縮減到 10µm 以下，如何在極致輕薄化後依然能有效散熱，是三家企業必須跨越的“大山”。
16-Hi 被視為半導體行業的一
道分水嶺，根據行業藍圖，下一代 HBM5 的堆疊層數也僅能達到 16 層，預計到 2035 年的 HBM7 才會實現 20 層和 24 層堆疊，而未來的 HBM8 也將止步於 24 層堆疊。
