Samsung 自家研發的智能手機芯片經常受到過熱和耗電量高的批評。不過，近幾年來，Samsung 在這方面已經取得了顯著進展。最近發佈的 Exynos 2600 芯片採用了名為 Heat Path Block (HPB) 的新技術，以改善熱量散發。未來，Samsung 還計劃引入更多技術，以進一步提升散熱性能。
目前的 Exynos 芯片採用的是 Fan-Out Wafer Level Package (FOWLP) 結構，這種結構將輸入和輸出端口放置在芯片外部，以減少芯片內部的熱量產生。此外，HPB 是一層薄銅層，能夠更快地散發處理器的熱量。然而，DRAM 和 HPB 都位於處理器的上方，這意味著 HPB 只能散發處理器產生的熱量，而無法處理 DRAM 的熱量。
Samsung 計劃在未來的 Exynos 芯片中採用側併式 (SbS) 包裝結構。這種結構使 DRAM 和處理器並排放置，HPB 則位於它們的上方。這樣，HPB 能夠迅速散發 Exynos 處理器和 DRAM 產生的熱量，同時也使得芯片包裝在垂直方向上變得更薄，更容易安裝於纖薄的智能手機中。
不過，SbS 結構也有其缺點。由於 DRAM 和處理器並排放置，包裝的橫向面積增加，而垂直高度則減少。如果手機製造商（例如 Samsung 的智能手機部門）在包裝面積增加方面沒有問題，則 Samsung 的芯片部門可能會在中長期內在所有 Exynos 芯片中採用 SbS 結構。
搭載 SbS 包裝結構的 Exynos 芯片可能首先會出現在 Galaxy Z 系列手機中，因為這些手機對薄型化的需求更高。
