隨著英偉達正式量產搭載 HBM4（高帶寬內存）的 AI 芯片「Vera Rubin」，全球存儲巨頭美光科技正大幅加碼該領域產能布局。根據行業消息，美光計劃在 2026 年將 HBM4 月產能提升至 1.5 萬片晶圓規模，占其整體 HBM 總產能（約 5.5 萬片/月）的近 30%，顯示出其全力押注下一代 AI 內存市場的戰略意圖。
目前，三家企業均已通過英偉達認證，預計從 2 月起開始大規模供貨。 長期以來，美光在 HBM 領域因產能規模落后於韓國競爭對手而處於劣勢，但這一局面正在改變。美光 CEO 桑杰·梅赫羅特拉在 2025 年 12 月財報會上表示，公司將於 2026 年第二季度起顯著提升 HBM4 產量，並預計其良率爬坡速度將快於上一代 HBM3E。業內分析指出，美光已啟動設備投資，正加快產能建設。 更值得關注的是，美光位於新加坡的先進封裝工廠預計將於 2026 年底投產，專門用於 HBM4 等高端產品的封裝環節；日本廣島工廠也有望在 2027 年下半年投入運營，定位為 HBM4 等下一代產品的前沿生產基地。
美光的產能擴張計劃
HBM4 作為專為高性能計算和 AI 加速器設計的先進存儲技術，已成為 GPU 核心配套組件。英偉達 CEO 黃仁勳在 CES 2026 主題演講中確認，「Vera Rubin」已進入全面量產階段，並由Samsung、SK 海力士及美光三家共同供應 HBM4。目前，三家企業均已通過英偉達認證，預計從 2 月起開始大規模供貨。 長期以來，美光在 HBM 領域因產能規模落后於韓國競爭對手而處於劣勢，但這一局面正在改變。美光 CEO 桑杰·梅赫羅特拉在 2025 年 12 月財報會上表示，公司將於 2026 年第二季度起顯著提升 HBM4 產量，並預計其良率爬坡速度將快於上一代 HBM3E。業內分析指出，美光已啟動設備投資，正加快產能建設。 更值得關注的是，美光位於新加坡的先進封裝工廠預計將於 2026 年底投產，專門用於 HBM4 等高端產品的封裝環節；日本廣島工廠也有望在 2027 年下半年投入運營，定位為 HBM4 等下一代產品的前沿生產基地。
