韓國科學技術院日前宣布開發出一種新型紅色 Micro LED 顯示技術，該技術同時具備超高分辨率和顯著降低功耗的特性。研究團隊成功製造了像素密度高達 1,700 PPI 的超高分辨率 Micro LED 顯示器，這一數值約是最新智能手機顯示器分辨率的 3 至 4 倍，能夠在虛擬現實和增強現實設備中呈現出“近乎真實的視覺效果”。
隨著紅色像素尺寸的縮小，能量會發生洩漏，導致效率顯著下降。此外，傳統逐個移動並放置 Micro LED 的工藝也難以實現超高分辨率，且通常會導致高缺陷率。 研究團隊成功解決了這兩個問題。他們應用了磷化鋁銦/磷化鎵銦量子阱結構，即使在像素變小的情況下，也能將能量損失降至最低，從而製造出高效的紅色 Micro LED。這種量子阱結構技術利用能量勢壘將電子限制在發光空間內，防止其逃逸，從而實現更亮、效率更高的紅色 Micro LED。 此外，團隊還應用了單片三集成技術，將整個 LED 層堆疊到電路上，而不是逐個轉移 LED，這樣可以減少對準誤差和降低缺陷率，穩定地製造超高分辨率顯示器。
在此過程中，團隊還掌握了低溫處理技術，以防止對電路造成損傷。 這項技術的成就顯示了長期以來被認為最難實現的功能齊全的超高分辨率紅色 Micro LED 顯示器，預計將廣泛應用於各種下一代顯示領域，包括 AR/VR 智能眼鏡。研究人員表示：“這項研究是同時解決 Micro LED 領域長期存在的紅色像素效率和驅動電路集成問題的突破，未來將持續推動這項技術發展成為具備商業可行性的下一代顯示技術。”
新技術的突破
在 Micro LED 顯示技術中，像素本身發光，相較於 OLED，Micro LED 在亮度、壽命和能效方面表現更佳。然而，紅色 LED 的效率下降問題一直是應用於顯示器的關鍵障礙。隨著紅色像素尺寸的縮小，能量會發生洩漏，導致效率顯著下降。此外，傳統逐個移動並放置 Micro LED 的工藝也難以實現超高分辨率，且通常會導致高缺陷率。 研究團隊成功解決了這兩個問題。他們應用了磷化鋁銦/磷化鎵銦量子阱結構，即使在像素變小的情況下，也能將能量損失降至最低，從而製造出高效的紅色 Micro LED。這種量子阱結構技術利用能量勢壘將電子限制在發光空間內，防止其逃逸，從而實現更亮、效率更高的紅色 Micro LED。 此外，團隊還應用了單片三集成技術，將整個 LED 層堆疊到電路上，而不是逐個轉移 LED，這樣可以減少對準誤差和降低缺陷率，穩定地製造超高分辨率顯示器。
在此過程中，團隊還掌握了低溫處理技術，以防止對電路造成損傷。 這項技術的成就顯示了長期以來被認為最難實現的功能齊全的超高分辨率紅色 Micro LED 顯示器，預計將廣泛應用於各種下一代顯示領域，包括 AR/VR 智能眼鏡。研究人員表示：“這項研究是同時解決 Micro LED 領域長期存在的紅色像素效率和驅動電路集成問題的突破，未來將持續推動這項技術發展成為具備商業可行性的下一代顯示技術。”
