Samsung 宣佈成為全球首家開始量產第六代高帶寬記憶體（HBM4）晶片的公司。這些記憶體晶片將用於全球一些最先進的人工智能加速器。這一里程碑標誌著 Samsung 在去年落後於其他競爭對手如 Micron 和 SK hynix 後的回歸。
這家韓國公司表示，採用了 1c DRAM（10nm 級，第六代）技術來開發其 HBM4 晶片。這是目前業界最先進的 DRAM 製造技術，讓 Samsung 在競爭中獲得優勢。Samsung 還指出，該晶片使用了 4nm 製程來提升性能和能效，並且已經確保 HBM4 的生產穩定性。
Samsung 的 HBM4 晶片運行速度達到 11.7Gbps，約比 JEDEC 行業標準的 8Gbps 高出 46%。這也比該公司的第五代高帶寬記憶體（HBM3E）快了 22%。基於單一堆疊，總記憶體帶寬可達 3.3TB/s，超過客戶要求的 3TB/s。
該公司提供的 HBM4 晶片容量範圍從 24GB 到 36GB，已經開始向客戶發貨。針對客戶需求，Samsung 還計劃生產容量高達 48GB 的 16 層 HBM4 晶片。
此外，Samsung 確認計劃在 2026 年下半年推出 HBM4E 晶片，並於 2027 年推出定制 HBM 晶片。
Samsung 電子記憶體開發副總裁 Hwang Sang-joon 表示：「Samsung 電子的 HBM4 不再依賴現有的成熟工藝，而是結合了 1c DRAM 和 4nm 晶圓代工等尖端技術。通過工藝競爭力和設計改進，我們為性能擴展提供了足夠的空間，能夠及時滿足客戶日益增長的性能需求。」
