Samsung 已經向客戶發送了首批 HBM4 記憶體，並宣布已開始量產這一新標準。HBM4 晶片採用第六代 10nm 級別的 DRAM 製程，稱為「1c」。需要注意的是，DRAM 與 CPU 核心不同，因此製程節點並不可直接比較。HBM4 產品還使用了 4nm 邏輯基底晶片，以實現更高的性能。
具體來說，HBM4 可提供每針 11.7Gbps 的速度，這一數據超越了業界標準的 8Gbps，增幅達 46%。由於有 2,048 根針腳，總帶寬達到驚人的 3.3 TB/s，這比 HBM3E 增加了 2.7 倍。值得一提的是，在標準化 HBM4 時，JEDEC（計算機 RAM 的管理機構）決定將每針帶寬從 HBM3E 的 9.6Gbps 降低，同時將針腳數從 1,024 增加到 2,048，以提高功率效率和改善熱管理。
因此，Samsung 不僅達到了 HBM4 的每針速度目標，還超越了 HBM3E 的速度。該公司認為未來有潛力將每針速度提升至 13Gbps。目前，Samsung 的 HBM4 記憶體採用了 12 層堆疊技術，容量範圍從 24GB 到 36GB。為了滿足客戶需求，Samsung 可能會推出 16 層設計，容量可達 48GB。
Samsung 設計的 HBM4 記憶體使用低電壓通孔技術及電源分配網絡，從而提高了 40% 的功率效率。此外，與 HBM3E 相比，記憶體堆疊的熱阻降低了 10%，熱散逸性能提高了 30%。該公司預計今年對其記憶體產品的需求會大幅增長，預測銷售額將比 2025 年增長三倍。為了應對這一增長，Samsung 正在擴大 HBM4 的生產能力。
至於未來的計劃，下一代 HBM4E 記憶體將在 2026 年下半年提供給客戶樣品。明年，該公司將根據客戶需求發送定制的 HBM 樣品。Samsung 內存開發部門副總裁黃相俊表示：「Samsung 採用了最先進的製程，如 1c DRAM 和 4nm 邏輯製程，而不是沿用傳統的設計，這使我們能夠在性能上獲得顯著的提升，滿足客戶對高性能的需求。」
