在宣布大規模生產 HBM4 晶片僅一個月後，Samsung 宣佈了其第七代高帶寬記憶體 HBM4E，這款記憶體的性能比 HBM4 更為快速，預計將用於 Nvidia 的下一代 AI 加速器平台。
在加州聖荷西舉行的 Nvidia GTC 2026 活動中，Samsung Electronics 首次展示了 HBM4E 晶片，成為全球首家發佈該技術的公司。這款晶片的數據傳輸速度可達每針 16Gbps，帶寬高達 4TB/s。預計將應用於 Nvidia 的 Vera Rubin Ultra 平台，該平台可能於 2027 年下半年推出，因此大規模生產有望在明年上半年啟動。
Samsung 亦宣布了未來 HBM 技術的計劃。該公司計劃利用其 1c DRAM 製程和 2nm 的代工製程來開發第八代 HBM5 晶片。至於第九代 HBM5E 晶片，Samsung 計劃使用其 1d DRAM 製程及 2nm 的代工製程。
此外，Samsung 還展示了其混合電容鍵合（HCB）技術，這項技術預期將成為其未來 HBM 晶片與競爭對手之間的主要區別。
在活動期間，Nvidia 首席執行官 Jensen Huang 拜訪了 Samsung Electronics 的展位，並在展位展示的 HBM4 晶圓上簽名「Amazing HBM4」。
