Samsung 電子成功量產全球首款基於 4F² 架構的 DRAM 晶圓，突破傳統平面 DRAM 長期面臨的物理微縮極限。據悉，今年 2 月，Samsung 已於 ISSCC 2026 會議上首次公開展示這款融合 4F² 架構的 16Gb DRAM 原型。3 月利用 10a 工藝完成晶圓生產，並通過特殊測試確認晶片正常運作。此成果為全球首款融合 4F² 單元結構與垂直通道電晶體（VCT）工藝的實踐。
4F² 架構技術細節
| 技術特點 | 描述 |
|---|---|
| 單元面積 | 從傳統 6F² 縮減至 2F × 2F 正方形結構 |
| 容量提升 | 理論上單位面積容量提升 30% 至 50%，兼顧速度與功耗優勢 |
| VCT 技術 | 垂直樹立電晶體通道，在有限晶片面積下增加通道長度，有效緩解傳統平面電晶體微縮時的短通道效應與漏電問題 |
| 時脈間融合鉸鏈技術 | 將存儲單元陣列與外圍電路在不同時脈上分開製程再垂直堆疊，實現高密度互聯 |
| 通孔材料 | 從傳統鎢替換為銦鎵鋅氧化物（IGZO），抑制微縮單元中的漏電雜散 |
未來同尺寸 DRAM 晶片可容納更多單元，有望為輕薄本、智能手機等終端設備在小體積、低功耗前提下，提供更大存儲容量與更快數據吞吐速度。Samsung 為此制定全新路線圖——2026 年完成 10a DRAM 開發，2027 年展開產品驗證測試，2028 年轉入量產。SK 海力士計劃在 10b 節點引入 4F² + VCT，美光維持現有設計路線，中國廠商受 EUV 限制直接佈局 3D DRAM。
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