在過去幾年中，Samsung 在高帶寬內存市場面對 Micron 和 SK Hynix 的競爭落敗，近日在韓國舉行的半導體展覽會（SEDEX 2025）上，Samsung 發佈了其首款 HBM4 晶片，這標誌著該公司在未來幾年內重拾競爭優勢的重要一步。Samsung 的 HBM4 晶片可應用於全球的 AI 伺服器。
在 2025 年 10 月 22 至 24 日於首爾 COEX 舉行的 SEDEX 2025 展會上，Samsung 正式介紹了其首款 HBM4 晶片。HBM4 是第六代高帶寬內存晶片，主要用於 AMD 和 Nvidia 等公司的 AI 加速器。這些加速器支撐著一些全球最大企業的生成式 AI 演算法。Samsung 的 HBM4 晶片性能至關重要。如果 Nvidia 決定採購 Samsung 的 HBM4 晶片，該公司有可能在未來幾個季度內每季度獲得數十億美元的營業利潤。
Samsung 的主要競爭對手 SK Hynix 也已完成其 HBM4 晶片的開發，並在同一展會上展示了該晶片。據報導，SK Hynix 正在與 Nvidia 進行大型供應的深入洽談。Micron、Samsung 和 SK Hynix 都已將其 HBM4 晶片送交 Nvidia，後者將在接下來幾周內進行測試，以決定將合同授予哪家公司。
Samsung 使用 10nm 級第六代（1c）DRAM 製程開發其 HBM4 晶片，此製程被認為比 SK Hynix 用於其 HBM4 晶片的 10nm 級第五代（1b）製程更為先進。雖然 1c 製程理論上能提供更高的性能，但在 Nvidia 開始使用這些晶片之前，誰的 HBM4 晶片表現更佳仍不明朗。目前，所有最優秀的 AI 加速器均使用 HBM3E 晶片，Samsung 在過去一年中已經開始銷售其 HBM3E 晶片。HBM4 將用於 Nvidia 下一代 AI 加速器 Rubin。由於去年 Samsung 的 HBM3E 晶片出現問題，導致失去許多商機，該公司正全力以赴避免重蹈覆轍。
