Micross 最近發佈了一款新的輻射檢測設備，旨在保護關鍵電子設備在核事件期間的安全。該公司宣布商業化推出其標準性能核事件檢測器（Standard-Performance Nuclear Event Detector，簡稱 NED），並將其定位為比仍在防務和航空航天系統中使用的舊版設計更快、更敏感的替代品。這款新檢測器針對那些電子故障不可接受的平台，包括飛機、無人機系統、軍事衛星、導彈平台以及在極端輻射環境下運行的地面車輛。
Micross 表示，該設備在靈敏度、反應速度和系統效率方面都有重大提升，同時也減少了尺寸、重量和功耗。標準性能 NED 采用了重新設計的架構，與幾十年來的核檢測方法有著明顯的不同。這款設備不再依賴外部線驅動器，而是將差分驅動器和接收器直接集成在晶片上，從而消除了對額外電路板元件的需求，也降低了屏蔽要求和整體系統延遲。
根據 Micross 的說法，舊系統中由於外部電路造成的延遲可能會使反應時間加倍。這款檢測器的輻射劑量率靈敏度超過傳統設計的兩倍，並且在高劑量條件下反應時間縮短超過 50%。在提升的過載水平下，反應時間可降低到 3 至 5 奈秒的範圍。這些改進得益於 Micross 內部設計的 PIN 二極體和集成電路架構，從而實現了更快的即時輻射事件檢測和更迅速的系統級保護。
Micross 在美國生產標準性能 NED，其定制 ASIC 由 Jazz Semiconductor Trusted Foundry 生產，該公司是 Tower Semiconductor 的全資子公司，也是美國國防部 1B 類認可供應商。Jazz Semiconductor Trusted Foundry 的總裁 Scott Jordan 表示，對於 Micross 關鍵的標準性能 NED 商業發佈感到高興，這個計劃體現了我們在提供先進防務和航空航天技術的可靠 ASIC 製造方面的承諾。
Micross 將該設備設計為商業現成解決方案，讓防務承包商能夠在不需要長期定制開發周期的情況下整合核事件檢測。該公司計劃在今年晚些時候推出擴展溫度和 MIL-PRF-38534 H 級版本。這款新檢測器支持極端工作條件，能夠承受高達一百萬 rads 的總輻射劑量，並且在劑量率達到每秒數十億 rads 的情況下仍能正常運作。它還能夠耐受高中子輻射並在 -67°F 至 +257°F 的溫度範圍內運行。
其緊湊的 44 引腳表面安裝封裝支持更緊湊的系統佈局，集成的差分信號改善了抗噪聲能力，同時降低了功耗。Micross 的下一代 NED 提供更快、更緊湊和更可靠的核事件檢測。Micross Components 的首席技術官 John Santini 表示，通過將現代設計技術應用於經過驗證的構建塊，該設備的性能顯著超越了幾十年前的舊式解決方案，並為關鍵電子設備提供了更大的保護。
標準性能 NED 現已有限量供應，Micross 預計今年晚些時候將進行全面生產，並可根據特定任務的需求定制靈敏度、反應時間和外形尺寸等選項。
