日媒指 HBM 短缺或延至 2027 年 三廠產能售罄

日經中文網報道，DRAM 市場目前由 Samsung、Samsung電子、SK 海力士及美光三家公司主導，合計佔比約九成。高帶寬存儲器（HBM）量產能力亦幾乎限於這三家企業。在人工智能伺服器等領域需求上升的背景下，供應端集中度高，存儲器短缺或將持續至 2027 年。

HBM 供應受地緣與企業策略影響

若霍爾木茲海峽出現事實上的封鎖，物流與能源成本可能上升，進而影響相關企業的增產投資，使擴產決策更趨謹慎。由於 HBM 生產涉及先進製程與封裝環節，產能擴張週期較長，短期內供需缺口難以快速彌合。 從企業披露及行業資訊來看，HBM 產能已被提前鎖定。公開資料顯示，美光確認其 HBM 產能在 2026 年底前全部售罄，涵蓋 HBM3E 與 HBM4 等產品；市場消息亦指出，SK 海力士與 Samsung 的 2026 年 HBM 產能同樣已被預訂。

同時，SK 海力士傳出將面向 Nvidia 的 HBM4 出貨計劃下調約 20% 至 30%，並以 HBM3E 及伺服器 DRAM 等產品調整部分產能配置。 HBM 作為 AI 加速晶片關鍵配套存儲，近年在數據中心訓練與推理需求帶動下快速增長。由於供應高度集中，且擴產受投資節奏、良率爬坡及供應鏈成本等因素限制，市場對中期供需偏緊的預期持續存在。