Samsung 計劃在下一代 Exynos 2700 芯片上引入並排式（SBS）架構，並配合更完善的散熱結構，以提升實際使用中的性能表現。SBS 架構預計帶來約 30% 至 40% 的 RAM 帶寬提升，同時改善能效，並進一步增強芯片的熱穩定性。
Exynos 2700 規格與工藝升級
Exynos 2700 預計採用Samsung SF2P 工藝，這是 Exynos 2600 所用 2nm GAA 工藝的下一代版本。GAA 為三維晶體管架構，柵極從四面包覆由垂直堆疊納米片構成的溝道，以獲得更好的靜電控制並降低電壓門檻。相較上一代 SF2 節點，SF2P 預計實現約 12% 的整體性能提升，並使總體能耗降低約 25%。 以下為 Exynos 2700 與前代關鍵規格比較：
| 規格項目 | Exynos 2700 | Exynos 2600 |
|---|---|---|
| 工藝節點 | SF2P (2nm GAA 升級版) | SF2 (2nm GAA) |
| 性能提升 | 約 12% (相對 SF2) | – |
| 能耗降低 | 約 25% (相對 SF2) | – |
| RAM 帶寬提升 | 約 30-40% (SBS 架構) | – |
在封裝與布局方面，Exynos 2600 採用類似「三明治」的結構：RAM 堆疊在 SoC 之上，RAM 上方再覆蓋銅基散熱結構 HPB。該設計有利散熱效率，但熱量仍可能在 SoC 與 RAM 之間積聚。Exynos 2700 將借助 FOWLP 封裝，將 RAM 與 SoC 並排放置，並在晶圓層級進行集成。由於互連距離縮短，RAM 帶寬預計顯著提升；同時，HPB 可覆蓋在 SoC 與 RAM 之上，以改善整體熱穩定性。
資料顯示，Exynos 2600 在熱穩定性上已優於Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 5；隨著 Exynos 2700 在架構與散熱上的調整，這一差距預計將進一步擴大。
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