Samsung SK 海力士 美光 啟動 DDR6 開發 原型產品生產驗證中 目標 2028 年商用出貨

去年有報導指出，包括 Samsung、SK 海力士同美光在內嘅 DRAM 製造商，早已經啟動咗 DDR6 嘅開發工作，專注於晶片設計、控制器驗證同封裝模組組裝。DRAM 製造商已經完成 DDR6 原型晶片設計，正喺同 Intel 同 AMD 等控制器同平台廠商合作進行介面測試。據 The Elec 報導，Samsung、SK 海力士同美光呢啲 DRAM 製造商最近已經同基板供應商協調 DDR6 模組嘅開發工作，包括厚度、堆疊結構同佈線等。

目前 DDR6 原型產品正處於生產同驗證當中，呢部分工作亦喺 JEDEC 固態技術委員會監督下進行。

DDR6 規格進展

JEDEC 喺 2024 年提供咗 DDR6 初稿草案，喺性能同架構方面取得重大進展。其轉向多通道設計，採用 4×24 位元通道，特別係相對於 DDR5 嘅 2×32 位元設置，呢個將會帶來更好嘅並行處理、數據純度同帶寬利用率，當然亦對模組 I/O 設計同信號完整性提出更高要求。 預計 DDR6 嘅速率由 8.8 Gbps 起步，最高至 17.6 Gbps，乃至可能擴展至 21 Gbps。

同時 DDR6 支持全新 CAMM2 標準，取替長期使用嘅 SO-DIMM 同 DIMM 標準，提供更高帶寬、更高密度、更低阻抗同更纖薄外形尺寸，亦解決咗傳統模組插槽嘅物理限制。 目前業界已經完成向 DDR5 嘅過渡，去年喺伺服器市場嘅佔比超過 80%，今年預計達至 90%。原本 JEDEC 可以更早發佈 DDR6 標準規範，但係一啲主要規格延遲未能敲定，包括厚度、信號使用、功耗範圍同引腳設計等。

隨住 DRAM 製造商加速 DDR6 標準產品嘅開發，呢個情況將有改變，預計 2028 年至 2029 年之間實現商業化。