Samsung 平澤 P5 廠 第一階段系統密封工程完成 預計下半年動工建 HBM 1c 納米 DRAM 線

Samsung電子已於上月完成平澤 P5 工廠第一階段系統密封工程的設備數量審核，預計下半年將正式進入主體施工階段。P5 工廠將按照多個階段順序建設，此次進展較此前預期提前約半年。

P5 工廠潔淨室規模擴大

系統密封工程是用於構建半導體製造所需的潔淨室，在天花板結構上安裝過濾器、照明、面板等設備的工序。其潔淨室透過控制溫度、濕度、壓力等環境參數，將潔淨度維持在極高水準，是防止製造缺陷的必要空間，也是工廠建設中最早啟動的環節。 P5 工廠規劃建設 6 個潔淨室，共 3 層結構。其空間規模約為擁有 4 個潔淨室、2 層結構的 P4 工廠的 1.5 倍。業界預計，P5 與計劃 2028 年後動工的 P6 工廠合計產能，將達到現有 P1 至 P4 四座工廠的總和水平。

P5 預計於 2028 年正式投產，可能設計為可同時容納 DRAM、NAND 和代工生產線的混合多廠形式。 Samsung電子計劃將 P5 第一階段建設為 1c 納米尖端 DRAM 專用生產線。1c 納米工藝的電路線寬約為 11 至 12 納米，相比上一代 1b 納米工藝，在能效和集成度方面均有提升。Samsung電子將 1c 納米技術率先應用於第六代 HBM4 的核心芯片，以實現差異化競爭力。

據Samsung介紹，基於 1c 納米工藝的 HBM4 實現了 11.7Gbps 的傳輸速度，較國際半導體標準組織 JEDEC 規定的 8Gbps 標準提升約 46%，最高可達 13Gbps，滿足英偉達等主要客戶提出的 11Gbps 以上性能要求。 Samsung電子內存戰略營銷室副社長金在俊在近期財報電話會議上表示，公司 HBM 銷售額預計同比增長超過 3 倍，1c 納米等最先進工藝確保了產品競爭力。

他指出，HBM4 的性能規格提升由Samsung主導，客戶採用其產品後，卓越性能已轉化為實際溢價。 Samsung電子計劃在下一代 HBM4E 中也採用 1c 納米核心芯片。HBM4E 目標實現每引腳 16Gbps 速度和 4.0TB/s 帶寬，預計於第二季度向主要客戶提供首批樣品。為鞏固 HBM 市場主導地位，Samsung電子正加速 1c 納米產能擴張。同樣作為 1c 納米生產線的 P4 第四階段和第二階段的潔淨室建設已接近尾聲，預計下半年起主要前工序設備將陸續搬入。

半導體行業相關人士表示，平澤 P4 第四階段和第二階段的潔淨室設備搬入已基本進入收尾階段，P5 工廠預計下半年正式啟動施工。