Samsung 最近開始大規模生產第六代高帶寬記憶體（HBM4）晶片，成為全球首家公司。根據報導，該公司正努力透過在位於韓國忠清南道天安的晶片廠引入尖端半導體封裝技術，加速生產。
根據《新日報》的報導，Samsung 正在其晶片廠建立混合銅鍵合（Hybrid Copper Bonding，簡稱 HCB）生產線，用於 HBM 晶片。此舉預期能縮短 HBM4 及未來世代 HBM 產品（HBM4E 和 HBM5）對主要客戶如 Nvidia 的交付時間，並減少封裝過程中可能出現的瓶頸。
HCB 生產線的設備將於三月抵達，將用於建立製造流程、進行測試及驗證封裝晶片的品質。一旦初步測試成功完成，便會開始全面生產。據悉，Samsung 在接獲 Nvidia 的需求後，提前調整了生產時間表。
HCB 封裝技術對於 HBM 晶片有何意義？HBM 晶片通過將多層記憶體晶片垂直堆疊來構建。隨著堆疊層數的增加，晶片變得更厚且產生更多熱量，因此有效的散熱至關重要。因此，晶片封裝技術也必須不斷發展，以更好地管理熱負荷和電壓應力。
混合銅鍵合技術改善了堆疊層之間的物理和電氣連接。在最近的一個行業活動中，Samsung 的技術負責人表示，HCB 工藝可以將熱阻降低多達 20%。不過，業界觀察者提醒，實驗室條件下所展示的性能提升不一定能直接轉化為大規模生產，因為在生產過程中，產量、可靠性和成本效益變得至關重要。
HBM 晶片的複雜性不斷增加。至今，包括 Micron、Samsung 和 SK hynix 在內的公司主要在核心 HBM 規格上競爭，包括數據傳輸速度和總記憶體帶寬。隨著 HBM 技術每一代的複雜性增長，散熱管理、能效、製造產量及生產穩定性等額外因素變得愈加重要。
整個半導體行業正密切關注 Samsung 如何快速建立其 HCB 封裝線，以及其 HBM4 晶片在與下一代 AI 加速器（如 Nvidia 的 Rubin 和 AMD 的 MI450）配合時的表現。
