台積電副董事長魏哲家近日公開表態,公司現階段不會採購ASML最新High-NA EUV光刻機,主要原因是設備價格過高。該機型單台售價達35億歐元,折合人民幣約28億元人民幣,約 HK$30.52億,遠超業界現有設備水準。魏哲家直言新一代設備「非常非常貴」,並表示現有EUV設備仍能滿足當前生產與研發需求。
High-NA EUV規格與成本挑戰
| 規格項目 | High-NA EUV | 上一代EUV |
|---|---|---|
| 支援製程 | 1.4nm及以下先進製程 | 較成熟節點 |
| 解析度 | 顯著提升 | 標準水準 |
| 製程能力 | 大幅優化 | 基礎支援 |
| 單機售價 | 35億歐元 (約 HK$30.52億) | 約1.8倍價格差距 |
這款光刻機是支撐1.4nm及以下先進製程的核心設備,解析度與製程能力明顯優於上一代,但成本同步大幅上升。其價格接近普通EUV設備的1.8倍,主要源於獨家光學組件、複雜光源系統與漫長調試週期,此外全球僅ASML能供應,進一步推高終端售價。 台積電並非完全放棄該技術,此前已採購少量設備用於研發,但不應用於量產。公司正透過工藝優化降低對新設備的依賴,近期公布A13與N2U兩項新工藝,分別計劃2029年與2028年投產,在不依賴新一代光刻機的情況下提升晶片效能、縮小面積,兼顧成本與性能。
作為ASML最大客戶,台積電採購態度將影響後續新設備量產節奏。ASML原計劃2027—2028年大規模量產High-NA EUV,並設定2030年營收目標,如遇主要客戶觀望將面臨挑戰。目前台積電資源開支壓力較大,資金優先進口3nm擴產、2nm研發與產能布局。
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