USB 2.0 的理論傳輸速度僅 480Mbps，適合基本數據交換，但面對大檔案時表現緩慢。USB 3.0 提升至 5Gbps，提供約10倍速度躍升，而 USB 3.1 Gen 2 進一步達 10Gbps。小米 17 Ultra (國際版) 搭載的 USB 3.2 Gen 2 同樣維持 10Gbps 速度，並優化雙向傳輸效率及電源供應，超越 USB 3.0 的單向優勢。此版本還支援更穩定的信號傳輸，減少高負載下的錯誤率。
USB OTG 功能讓小米 17 Ultra (國際版) 可作為 USB 主機，直接連接外接裝置。用戶可插上 USB 手指驅動器快速存取檔案，或連接藍牙鍵盤、滑鼠進行生產力操作，甚至外接遊戲手柄暢玩手機遊戲。此功能無需額外轉接器，支援 OTG 模式下穩定供電，確保外接設備長時間運作不中斷，提升手機的多功能性。
USB 標準經歷多次演進，速度差異顯著。USB 2.0 理論傳輸速度僅 480Mbps，適合基本資料同步；USB 3.0 (即 USB 3.1 Gen 1) 提升至 5Gbps，傳輸大型檔案速度約快 10 倍；USB 3.1 Gen 2 達 10Gbps，而 USB 3.2 Gen 2×2 則高達 20Gbps。小米 17 (國際版) 搭載 USB Type-C 3.2，正屬最高階標準，提供超高速傳輸及更穩定的電源輸出。相較舊版 USB 3.0，此規格不僅速度更快，還支援更寬頻寬，適合現代高解析度內容傳輸。
USB OTG (On-The-Go) 功能讓小米 17 (國際版) 化身行動工作站，可外接 USB 手指驅動器直接讀取檔案，無需電腦中轉；連接藍牙鍵盤或滑鼠，即成完整辦公平台，支援文書編輯及簡單設計工作。亦可接駁外置硬碟、SSD 或相機讀卡器，即時備份相片及影片。結合 USB 3.2 高速傳輸，OTG 體驗流暢無延遲，無論旅行或戶外作業，皆極為實用。
新加入的 AI 按鈕設計，不僅提升了拍照的便利性，還能透過自定義功能，無論是拍照、呼喚 AI，需要即時翻譯、識圖購物，還是進行語音指令操作，都能一鍵做到，無需再繁瑣地喚醒屏幕或尋找應用程式，讓用戶能更輕鬆地存儲和查找重要資訊，進一步提升了使用體驗。
首先，在短按的設定頁面中，選擇了相機功能，這意味著當你只需按一下 AI 鍵，就能瞬間喚醒相機，非常適合用來抓拍稍縱即逝的精彩瞬間，無需解鎖屏幕再尋找 App。其次，在輕按兩下的設定中配置了榮耀 AI，這個手勢讓你能夠一鍵直達手機的 AI 助手中心，隨時調用手機強大的運算能力來處理日常事務。最後，在長按的設定頁面中目前正在使用 AI 識屏功能，當你在瀏覽網頁或圖片時長按這個鍵，系統就會自動分析當前屏幕上的內容，並智能推介相關的服務或資訊。
USB OTG（On-The-Go）功能讓 honor Magic V6 可作為 USB 主機，連接多種外設。用戶可外接 USB 手指驅動器，直接讀取檔案或備份資料；連接鍵盤及滑鼠，即變身生產力工具，支援文書處理或遊戲操作。亦可接駁外置硬碟、相機或音頻介面，擴展儲存及創作能力。結合 USB 3.1 的高速傳輸及 OTG 支援，此功能在折疊設計中尤為實用，提升機動性。
傳統的有機電池，尤其是其陰極，因為電導率差而面臨許多挑戰。通常，分子會溶解於電解質中，導致整體能量密度較低。這種新的 PBFDO 聚合物則有所不同，因為它是一種 n 型導電材料，這意味著它天然能夠導電。這使得它在結構上具有穩定性，並能更有效地運輸鋰等離子。團隊表示，這使得新電池在重量單位下的容量更高，這種組合是多年來所缺失的。
這一發現的核心是一個名為 T 中心的微小缺陷。顏色中心是一種晶格中的小缺陷，此案例中包括了兩個碳原子和一個氫原子嵌入矽中。當該缺陷受到激發時，可以發射出一個單光子，這正是量子技術所需的。T 中心特別吸引人，因為它發出的光波長與光纖互聯網電纜（電信 O 波段）使用的波長相同，這意味著它可以直接與當今的通信基礎設施連接。然而，T 中心存在一個問題，即有時它會在不發光的情況下失去能量，這種現象稱為非輻射衰減。科學家們知道這種情況發生，但不明白為什麼或者如何阻止它。於是，研究人員決定尋找答案。
研究人員然後通過高能粒子轟擊矽來創造 T 中心。轟擊後，他們小心地加熱和冷卻樣品，使缺陷正確形成。他們準備了三種類型的樣品：一種是自然氫（大多數為氕），第二種是故意掺入氘，使較重的同位素佔主導，第三種是富集碳-13，創造不同的碳同位素配置。為了清楚地觀察這些變體之間的微小差異，樣品被冷卻至低於 4 開爾文（-269.1°C 或 -452.5°F），使用液氦進行冷卻。在如此低的溫度下，原子振動顯著減慢，使得量子效應更容易測量。
樣品準備好後，研究團隊使用光致發光光譜學和傅里葉變換紅外光譜儀識別每個同位素變體的發射線。這些測量使他們能夠直接觀察缺陷內部的振動模式。他們發現，用氘替換氫後，碳-氫（C–H）鍵振動的能量降低。這個看似微小的變化卻至關重要，因為較低的振動能量抑制了不必要的衰減路徑，避免了能量的損失。為了測量每個 T 中心在發射光子之前保持激發的時間，團隊使用脈衝共振激光激發。通過精確調整激光，他們可以一次針對一個同位素變體。光子的到達時間使用時間分辨單光子檢測器進行記錄。
結果相當有趣。氘化 T 中心的激發態壽命是普通氕版本的 5.4 倍。事實上，其壽命幾乎接近完全不發生非輻射衰減的預期。此外，初步估計顯示，氘化 T 中心的效率可能超過 90%，甚至可能達到 98% 以上。這一巨大的差異揭示了研究人員所稱的巨大同位素效應，顯示能量損失與局部 C–H 鍵的振動有著密切的聯繫。來自美國海軍研究實驗室的合作者 Mark Turiansky 和 John Lyons 模擬了這一衰減過程，發現傳統的接受模式在這種情況下完全失效。「我們展示了一種非常簡單的替代方案，僅考慮 C-H 伸縮模式，便能很好地匹配實驗並重現強烈的同位素依賴性。」研究作者之一 Daniel Higginbottom 說道。
重同位素還改善了所謂的光學循環性，即系統可以被激發並發射光的次數，在必須重置之前。研究作者估計，氘化 T 中心的光學循環約為氕版本的 300 倍。這使得「單次讀出電子自旋成為可能，並可能加快對 T 中心的量子操作。」多年来，矽顏色中心因為被認為與鑽石等材料中的缺陷相比效率低下而被忽視。這項研究提供了矽能夠承載高效單光子發射器的強有力證據。由於 T 中心自然發射於電信 O 波段，它們非常適合於通過現有光纖在數十公里內分發量子信息。
有趣的是，參與此次研究的量子技術公司 Photonic Inc 已經開始將氘化 T 中心納入其開發流程，顯示出基礎研究如何迅速轉向實用技術。然而，這並不意味著研究部分已經結束。下一步，研究團隊正在進行全面的研究，探討 T 中心所有可能同位素變體的基本振動模式。這些測量將使研究人員能夠更精確地理解顏色中心的振動結構如何影響其光學特性。這項研究發表於《物理評論快報》期刊。
