在近日举行的面向 AI 市场的技术说明会上，日本半导体存储芯片巨头铠侠控股宣布，其正与美国半导体公司英伟达紧密合作，计划在 2027 年前开发并量产一款数据读取速度提升至目前水平近 100 倍的新型固态硬盘（SSD）。此次合作旨在响应生成式 AI 市场对数据存储与处理速度的爆炸性需求。
傳統上，SSD 通过中央处理器（CPU）与图形处理器（GPU）连接，而铠侠与英伟达合作开发的新一代 SSD 将能够直接连接到 GPU 上进行高速数据交换。其关键性能指标——随机读取速度目标设定为惊人的 1 亿 IOPS（每秒输入输出操作次数）。鉴于英伟达提出的单个 SSD 性能需求为 2 亿 IOPS，铠侠计划通过组合两个 SSD 来满足这一要求，并将支持未来的 PCIe 7.0 接口标准。
这一技术突破的核心战略目标之一，是寻求替代目前在 AI 运算中广泛使用的高带宽存储器（HBM）的一部分功能。HBM 作为一种超高速动态随机存取存储器（DRAM），虽然性能卓越，但单位容量成本高昂，限制了 AI 运营商扩展存储容量。铠侠希望利用其具有成本优势的 NAND 闪存技术，通过这款超高速 SSD 来承担部分原本由 HBM 负责的容量扩展任务，这同时也是铠侠在自身产品线缺乏 DRAM 情况下的一种战略性补强。
为实现性能的跨越式提升，铠侠将依托其专有的高速 NAND 闪存技术“XL-FLASH”。该技术通过控制单个存储元件存储的数据量（1-2 比特），在成本、运行速度和耐久性上取得了优于大容量 NAND 的平衡。目前，第三代 XL-FLASH 正在开发中并即将投产，它将被应用于目标性能达 1 亿 IOPS 的最终产品中。
铠侠技术人员透露，为实现百倍速飞跃，将采取增加 NAND 芯片内的平面分割数等措施以优先提升读取速度，即使牺牲部分芯片面积也在所不惜。同时，将数据读取单位“页”缩小至 512 字节（原来的八分之一）并控制由此带来的功耗增加，也是技术挑战之一。
铠侠制定了清晰的开发路线图：首先，在 2026 年推出基于第二代 XL-FLASH、读取速度达 1,000 万 IOPS 的 SSD 样品。在验证此阶段成果后，于 2027 年使用第三代 XL-FLASH 实现 1 亿 IOPS SSD 的开发。
